高壓電子顯微鏡

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(high-voltage electron microscopy,HVEM)

同透射電子顯微鏡基本相同,只是電壓特別高。TEM使用的加速電壓是50~100kV,而HVEM使用的電壓是200~1000kV。由于電壓高,就會(huì)大大減少造成染色體畸變的可能,因此,可以用較厚的細(xì)胞切片研究細(xì)胞的結(jié)構(gòu),切片的厚度最大可達(dá)1μm,相當(dāng)于普通TEM樣品厚度的10倍。

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